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    Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)

    2020年04月23日 11:05 ? 次閱讀

    采用易于使用的封裝,適用于可穿戴設備和大批量應用

    奈梅亨,2020年4月22日:半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動和便攜式產品應用,包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡化了PCB組裝過程。

    PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。由于采用了先進工藝流程,這些新器件提供低導通電阻RDS(on),與競爭對手產品相比減小了60%以上,它們還具備優良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS電壓閾值,這個參數對低驅動電壓的便攜式產品應用至關重要。

    Nexperia產品經理Sandy Wang評論道:“新一代可穿戴設備不斷突破消費電子技術的界限。智能手機、智能手表、健身跟蹤器和其他創新技術的演進需要微型化MOSFET,用以提供領先的性能和效率,從而實現越來越多的復雜功能。Nexperia擁有很高產能和制造能力,能夠進行擴產,以最大限度地滿足市場需求?!?/p>

    采用新型DFN0606封裝的九款PMH器件現已上市。

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